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SU-07W

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SU-07W 技术参数
  • STZB-SK/RAIS 功能描述:KIT EVAL REVA FOR ZIGBEE 制造商:stmicroelectronics 系列:Raisonance 零件状态:过期 类型:802.15.4/Zigbee 频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:SNRCM-260 所含物品:2 个板,软件 标准包装:1 STY80NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 37A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):360nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10100pF @ 50V 功率 - 最大值:447W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7300pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):266nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7500pF @ 25V 功率 - 最大值:560W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 STY60NK30Z 功能描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247? 标准包装:30 SU1000RTXL2UN SU1000RTXLCD2U SU1000XLA SU1000XLCD SU10K SU10K3/1X SU10KRT3U SU10KRT3UHV SU10VD-20010 SU10VFC-R03370 SU10VFC-R04250 SU10VFC-R05140 SU10VFC-R07088 SU10VFC-R10045 SU10VFC-R13025 SU10VFC-R15019 SU10VFC-R20010 SU12000RT4U
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