T435600D

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T435600D 技术参数

T435-600B-TR 功能描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:Snubberless?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:30A，31A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 T435-600B 功能描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:Snubberless?? 包装:管件零件状态:有效三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:30A，31A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 T435-400T 功能描述:TRIAC ALTERNISTOR 400V TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:Snubberless?? 包装:管件零件状态:过期三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器电压 - 断态:400V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:30A，31A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 T42M2227M025EZA 功能描述:220μF Molded Tantalum Capacitors 25V Nonstandard 200 mOhm @ 100kHz 0.319" L x 0.276" W (8.10mm x 7.00mm) 制造商:vishay sprague 系列:TANTAMOUNT? T42 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:220μF 容差:±20% 电压 - 额定:25V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧 @ 100kHz 类型:模制工作温度:-55°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.319" 长 x 0.276" 宽（8.10mm x 7.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.177"（4.50mm）引线间距:- 制造商尺寸代码:M2 特性:COTS（高可靠性）不同温度时的使用寿命:85°C 时为 2000 小时标准包装:1 T429H107K015BC4252 功能描述:100μF ±10% Molded Tantalum Capacitors 15V 2915 (7338 Metric) 100 mOhm 制造商:kemet 系列:军用，MIL-PRF-55365/11，CWR29 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电容:100μF 容差:±10% 电压 - 额定:15V 类型:模制 ESR（等效串联电阻）:100 毫欧工作温度:-55°C ~ 125°C 不同温度时的使用寿命:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:2915（7338 公制）大小/尺寸:0.285" 长 x 0.150" 宽（7.24mm x 3.81mm）高度 - 安装（最大值）:0.125"（3.17mm）引线间距:- 制造商尺寸代码:H 特性:军用故障率:B（0.1%）标准包装:1 T435T-600FP T44/C T44/M T44-1/C T44-1/M T455 T45-51-10.0A-01-31AL T45BEI10 T45BEI10-A T45BEI2 T45BEI2-A T45BEI8 T45BEI8-A T45BIW10 T45BIW10-A T45BIW2 T45BIW2-A T45BIW8