TD352IDT/BKN

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TD352IDT/BKN 技术参数

TD352IDT 功能描述:功率驱动器IC Class-D Amplifier RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TD352ID 功能描述:IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:在售驱动配置:高压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 26 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，4.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A 输入类型:非反相上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 基本零件编号:TD352 标准包装:100 TD351IN 功能描述:功率驱动器IC Advanced Gate RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TD351IDT 功能描述:功率驱动器IC Advanced Gate RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TD350ETR 功能描述:功率驱动器IC 1200V 3-Phase IGBT 1.5A 2.3A Sink 2kV RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube TD-37.500MCE-T TD-37.500MDD-T TD-37.500MDE-T TD-38.400MBD-T TD-38.400MBE-T TD-38.400MCD-T TD-38.400MCE-T TD-38.400MDD-T TD-38.400MDE-T TD3-D TD3-IP20 TD-4.000MBD-T TD-4.000MBE-T TD-4.000MCD-T TD-4.000MCE-T TD-4.000MDD-T TD-4.000MDE-T TD-4.096MBD-T