THS50220RJ

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说明
操作

THS50220RJ
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
TE Connectivity /CGS Bran
标准封装
15+
-
百分百原装质量保障

THS50220RJ
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
2999
AVX
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

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功能描述
线绕电阻器 - 底架安装 220 Ohms 50W 30PPM
RoHS
否
制造商
Vishay/Dale
电阻
7 Ohms
容差
1 %
功率额定值
100 W
温度系数
50 PPM / C
系列
RH
工作温度范围
- 55 C to + 250 C
尺寸
46.02 mm Dia. x 46.02 mm W x 88.9 mm L x 44.45 mm H
封装
Bulk
产品
Power Resistors Wirewound Aluminum Housed

THS50220RJ 技术参数

THS501R0J 功能描述:RES CHAS MNT 1 OHM 5% 50W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:THS，CGS 包装:托盘零件状态:有效电阻（欧姆）:1 容差:±5% 功率（W）:50W 成分:绕线温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂层，外壳类型:铝安装特性:法兰大小/尺寸:2.008" 长 x 1.181" 宽（51.00mm x 30.00mm）高度:0.669"（17.00mm）引线形式:焊片封装/外壳:轴向，盒标准包装:100 THS5010RJ 功能描述:RES CHAS MNT 10 OHM 5% 50W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:THS，CGS 包装:托盘零件状态:有效电阻（欧姆）:10 容差:±5% 功率（W）:50W 成分:绕线温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂层，外壳类型:铝安装特性:法兰大小/尺寸:2.008" 长 x 1.181" 宽（51.00mm x 30.00mm）高度:0.669"（17.00mm）引线形式:焊片封装/外壳:轴向，盒标准包装:100 THS4631DR 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNRG4 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNR 功能描述:高速运算放大器 High Speed FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS50330RJ THS5033KJ THS5033RJ THS50390RJ THS5039RJ THS503K3J THS503R3J THS503R9J THS50470RJ THS5047KJ THS5047RJ THS504K7J THS504R7J THS50500RJ THS5050KJ THS5050RJ THS50560RJ THS5056RJ