TLE2161IDRG4功能描述:运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:ReelTLE2161IDR功能描述:运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:ReelTLE2161IDG4功能描述:运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:ReelTLE2161ID功能描述:运算放大器 - 运放 Low Power JFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:ReelTLE2161CDG4功能描述:运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:ReelTLE2425IDTLE2425IDG4TLE2425IDRTLE2425IDRG4TLE2425ILPTLE2425ILPE3TLE2425MDTLE2425MDG4TLE2425MDRTLE2425MDRG4TLE2426CDTLE2426CDG4TLE2426CDRTLE2426CDRG4TLE2426CLPTLE2426CLPE3TLE2426CLPRTLE2426CP