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TSAL6200ASZ

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TSAL6200ASZ 技术参数

TSAL6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 40mW/sr @ 100mA 34° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:40mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:34° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL6100 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 80mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:80mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL5300 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 30mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:过期类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:44° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSAL4400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50° Radial, 3mm Dia (T-1) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）标准包装:5,000 TSAA1U02A 功能描述:Thumbstick, 1 - Axis Analog (Hall Effect) Output 制造商:apem inc. 系列:TS 零件状态:有效类型:拇指操纵杆，1 - 轴致动器类型:多重开关功能:2 向定向功能，额外:- 输出:模拟（霍尔效应）电压 - 电源:5VDC 额定电流:- 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:- 触头材料:- 触头镀层:- 安装类型:面板安装端子类型:导线引线工作温度:-40°C ~ 85°C 面板开口尺寸:圆形 - 25.65mm 直径侵入防护:IP68/69K - 防尘，耐水，防水特性:- 机械寿命:1，000，000 次循环电气寿命:- 作用力:310gf 标准包装:1 TSAMW-1.0-260-U-TR TSAMW-2.35-260-U TSAMW-2.35-260-U-TR TSAMW-3.3-260-U TSAMW-3.3-260-U-TR TSAS-NR501-X-25MM TSAS-NR503-X-10MM TSAS-NR503-X-20MM TSAS-NR503-X-25MM TSAT1G02A TSAT1S02A TSB TS-B1 TSB12LV01BIPZT TSB12LV01BIPZTEP TSB12LV01BPZT TSB12LV01BPZTG4 TSB12LV21BMPGFEP