TSHG6200.

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
IR Emitting Diode

TSHG6200. 技术参数

TSHG6200 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.5V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSHF5410 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 45mW/sr @ 100mA 44° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 视角:44° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSHF5210 功能描述:Infrared (IR) Emitter 890nm 1.4V 100mA 120mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:120mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 视角:20° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）标准包装:4,000 TSHA4400 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.5V 100mA 12mW/sr @ 100mA 40° Radial, 3mm Dia (T-1) 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:12mW/sr @ 100mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:40° 朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）标准包装:5,000 TSH95IYDT 功能描述:运算放大器 - 运放 Video Op-Amp STBY 4.5mA 150MHz 4mV RoHS:否制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel TSI107D-133LE TSI107D-133LEY TSI108-200CL TSI108-200CLY TSI109-200CL TSI109-200CLY TSI109-200IL TSI109-200ILY TSI10H100CW C0G TSI10H120CW C0G TSI10H150CW C0G TSI10H200CW C0G TSI10L200CW C0G TSI110-167CL TSI110-167CLY TSI148-133CL TSI148-133CLY TSI148-133IL