UCC27324D-SOIC8-TI

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UCC27324D-SOIC8-TI
深圳市时兴宇电子有限公司
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UCC27324D-SOIC8-TI 技术参数

UCC27324DRG4 功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27324DR 功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27324DGNRG4 功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27324DGNR 功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27324DGNG4 功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27325DGNRG4 UCC27325DR UCC27325P UCC27325PE4 UCC27325PG4 UCC27423-4-5-Q1EVM UCC27423D UCC27423DG4 UCC27423DGN UCC27423DGNR UCC27423DR UCC27423DRG4 UCC27423MDREP UCC27423P UCC27423PE4 UCC27423PG4 UCC27423QDGNRQ1 UCC27423QDRQ1