UCC27531DBVRG4

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UCC27531DBVRG4 技术参数

UCC27531DBVR 功能描述:功率驱动器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27531D 功能描述:IC GATE DRIVER FET/IGBT 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 32 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，7ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:75 UCC2752D 功能描述:IC RESONANT RING GEN 16-SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 电信系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS 产品变化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 标准包装:750 系列:* UCC27528QDRQ1 功能描述:IC GATE DVR LOW SIDE DUAL 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 UCC27528DSDT 功能描述:功率驱动器IC Dual 5A Hi-Spd Lo Side Gate Dvr IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27533DBVT UCC27536DBVR UCC27536DBVT UCC27537DBVR UCC27537DBVT UCC27538DBVR UCC27538DBVT UCC27611DRVR UCC27611DRVT UCC27611OLEVM-203 UCC27710D UCC27710DR UCC27710EVM-005 UCC27712D UCC27712DR UCC27712EVM-287 UCC27712QDQ1 UCC27712QDRQ1