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ULN2004ADR2G

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ULN2004ADR2G 技术参数
  • ULN2004ADR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:7 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1 ULN2004AD 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:7 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 350mA,500μA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 ULN2004A 功能描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:7 NPN 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:16-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:16-DIP 标准包装:25 ULN2003V12PWR 功能描述:外围驱动器与原件 - PCI Low Pwr Relay Driver RoHS:否 制造商:PLX Technology 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FCBGA-1156 封装:Tray ULN2003V12DR 功能描述:外围驱动器与原件 - PCI Low Pwr Relay Driver RoHS:否 制造商:PLX Technology 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FCBGA-1156 封装:Tray ULN2004AINSG4 ULN2004AINSR ULN2004AINSRG4 ULN2004AN ULN2004ANE4 ULN2004ANG4 ULN2004ANSR ULN2004APG,C,N ULN2004AS16-13 ULN2004D1013TR ULN2064B ULN2065B ULN2066B ULN2067B ULN2068B ULN2069B ULN2074B ULN2075B
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