USF0J470MDD

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USF0J470MDD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Nichicon
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

USF0J470MDD
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
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DIP-2
最新批号
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功能描述
铝质电解电容器 - 带引线 6.3volts 47uF 5x7 20% 2LS
RoHS
否
制造商
Kemet
引线类型
电容
220 uF
容差
20 %
电压额定值
25 V
工作温度范围
端接类型
Radial
外壳直径
8 mm
外壳长度
11 mm
引线间隔
5 mm
产品
General Purpose Electrolytic Capacitors
封装
Bulk

USF0J470MDD 技术参数

USD-4GB-INDUSTRIAL 功能描述:Memory Card SDHC? 4GB Class 10, UHS Class 1 制造商:4d systems pty ltd 系列:- 零件状态:有效存储器类型:SDHC? 存储容量:4GB 速度:10 类，UHS 1 类技术:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:1 USD-4GB 功能描述:Memory Card SDHC? 4GB Class 4 制造商:4d systems pty ltd 系列:- 零件状态:有效存储器类型:SDHC? 存储容量:4GB 速度:4 类技术:- 工作温度:0°C ~ 70°C 标准包装:1 USBULC6-3F3 功能描述:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP 制造商:stmicroelectronics 系列:USB 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:2 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:3V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:50W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:0.85pF @ 1MHz 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-WFBGA，FCBGA 供应商器件封装:4-覆晶标准包装:1 USBULC6-2P6 功能描述:TVS DIODE 5VWM 17VC FLIPCHIP 制造商:stmicroelectronics 系列:USB 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:1pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 USBULC6-2M6 功能描述:TVS DIODE 5VWM 17VC 6VFQFPN 制造商:stmicroelectronics 系列:USB 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:转向装置（轨至轨）单向通道:- 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:是应用:以太网不同频率时的电容:0.95pF @ 1MHz 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UFDFN 供应商器件封装:6-μQFN（1.45x1.0）标准包装:1 USF1A151MDD USF1A151MDD1TA USF1A151MDD1TD USF1A151MDD1TE USF1A220MDD USF1A220MDD1TE USF1A220MDD1TP USF1A330MDD USF1A330MDD1TE USF1A330MDD1TP USF1A470MDD USF1A470MDD1TE USF1A470MDD1TP USF1A680MDD USF1A680MDD1TE USF1A680MDD1TP USF1C101MDD USF1C101MDD1TA