VND5025B2KTR-E

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VND5025B2KTR-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2500
ST
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

VND5025B2KTR-E
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
STMicroelectronics
IC 2 CHANNEL, BUF OR
23+
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原装现货欢迎来电查询！

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VND5025B2KTR-E 技术参数

VND5025AKTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double Ch Hi Side Driver analog RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5025AK-E 功能描述:功率驱动器IC Double Ch Hi Side Driver analog RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5012AKTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double Ch Hi Side Driver analog RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5012AK-E 功能描述:功率驱动器IC Double Ch Hi Side Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5004BTR-E 功能描述:功率驱动器IC Double 4mOhm HSD w/analog sense RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5050KTR-E VND5160AJ-E VND5160AJTR-E VND5160J-65-E VND5160J-E VND5160JTR-65-E VND5160JTR-E VND5E004A30TR-E VND5E004ATR-E VND5E004C30-E VND5E004C30TR-E VND5E006ASP-E VND5E006ASPTR-E VND5E008ASP-E VND5E008ASPTR-E VND5E008AY-E VND5E008AYTR-E VND5E008MYTR-E