VNN3NV04P-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

VNN3NV04P-E
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ST
SOT-223
18+
-
全新原装，优势库存

1/1页 40条/页共3条
1

您是不是要找： VNN3NV04PTR-E VNN3NV04TR-E VNN7NV0413TR VNN7NV04PTR-E VNN7NV04TR-E VNP10N06 VNP10N06-E VNP10N06FI VNP10N07

VNN3NV04P-E PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

VNN3NV04P-E 技术参数

VNN3NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN1NV04TR-E 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN1NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 1.7A OMNIFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNN1NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNLD5300TR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC DVR LOW-SIDE 2CH DGTL 8SOIC VNP10N07-E VNP10N07FI VNP10N07FI-E VNP14N04 VNP14N04-E VNP14N04FI VNP14NV04 VNP14NV04-E VNP20N07 VNP20N07-E VNP20N07FI VNP28N04 VNP28N04-E VNP28N04FI VNP35N07 VNP35N07-E VNP35N07FI VNP35NV04