VNN7NV04-TR

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说明
操作

VNN7NV04-TR
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
6000
ST
SOT223
16+
-

VNN7NV04-TR
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
6200
ST
SOT223
14+
-
原装现货/特价

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VNN7NV04-TR 技术参数

VNN7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 6A OMNIFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNN7NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN3NV04TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNN3NV04PTR-E 功能描述:功率驱动器IC OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNN3NV0413TR 功能描述:功率驱动器IC N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VNP14N04-E VNP14N04FI VNP14NV04 VNP14NV04-E VNP20N07 VNP20N07-E VNP20N07FI VNP28N04 VNP28N04-E VNP28N04FI VNP35N07 VNP35N07-E VNP35N07FI VNP35NV04 VNP35NV04-E VNP49N04 VNP49N04-E VNP49N04FI