VNP28N04FI-E

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说明
操作

VNP28N04FI-E
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ST MICROELECTRONICS SEMI
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

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功能描述
电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 28A OmniFET
RoHS
否
制造商
Exar
输出端数量
1
开启电阻（最大值）
85 mOhms
开启时间（最大值）
400 us
关闭时间（最大值）
20 us
工作电源电压
3.2 V to 6.5 V
电源电流（最大值）
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-5

VNP28N04FI-E 技术参数

VNP28N04FI 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNP28N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNP28N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNP20N07FI 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 70V 20A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNP20N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNP5N07 VNP5N07-E VNP5N07FI VNP7N04 VNP7N04-E VNP7N04FI VNQ05XSP16 VNQ05XSP1613TR VNQ05XSP16-E VNQ05XSP16TR-E VNQ500N-E VNQ500NTR-E VNQ500PEPTR-E VNQ5027AK-E VNQ5027AKTR-E VNQ5050AK-E VNQ5050AKTR-E VNQ5050K-E