VO-127

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VO-127 技术参数

VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns，7ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:20mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns，7ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:60mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNW100N04 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNV49N0413TR 功能描述:电源开关 IC - 配电 OMNIFET POWER MOSFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VO1431500000G VO14315000J0G VO1431510000G VO14315100J0G VO1432500000G VO14325000J0G VO1432510000G VO14325100J0G VO14642AABTR VO14642AT VO1611500000G VO16115000J0G VO1611510000G VO16115100J0G VO1612500000G VO16125000J0G VO1612510000G VO16125100J0G