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VO223AT-X001

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    VO223AT-X001

    VO223AT-X001

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:刘春兰

    电话:19129491434(微信同号)

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 10000

  • VISHAY

  • DIP/SOP

  • 2013+

  • -
  • 原装热卖

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VO223AT-X001 技术参数
  • VO2223A 功能描述:Optoisolator Triac, Power Output 5300Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 输出类型:Triac,功率 过零电路:无 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt(最小值):210V/μs(标准) 电流 - LED 触发器(Ift)(最大值):10mA 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电流 - 保持(Ih):25mA 接通时间:- 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.4V(最大) 电流 - DC 正向(If):50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线 供应商器件封装:8-DIP 认可:cUR,UR 标准包装:50 VO2223 功能描述:Optoisolator Triac, Power Output 5300Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 输出类型:Triac,功率 过零电路:无 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt(最小值):210V/μs(标准) 电流 - LED 触发器(Ift)(最大值):10mA 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):900mA 电流 - 保持(Ih):25mA 接通时间:- 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V(最大) 电流 - DC 正向(If):50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线 供应商器件封装:8-DIP 认可:cUR,UR 标准包装:2,000 VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):15kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):100ns,100ns 上升/下降时间(典型值):23ns,7ns 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.4V 电流 - DC 正向(If):20mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):5kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):100ns,100ns 上升/下降时间(典型值):23ns,7ns 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.4V 电流 - DC 正向(If):60mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VO24315000J0G VO2431510000G VO24315100J0G VO2432500000G VO24325000J0G VO2432510000G VO24325100J0G VO2601 VO2601-X006 VO2601-X007T VO2601-X016 VO2601-X017T VO2611 VO2611500000G VO26115000J0G VO2611510000G VO26115100J0G VO2611-X006
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