VO2530

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VO2530
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
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电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
30
9737
DIP-8
2012+
-
只做原装正品。

VO2530-X007T
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
49303
VISHAY
DIP-8
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VO2530 技术参数

VO2223A 功能描述:Optoisolator Triac, Power Output 5300Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:管件零件状态:有效输出类型:Triac，功率过零电路:无通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt（最小值）:210V/μs（标准）电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电流 - 保持（Ih）:25mA 接通时间:- 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V（最大）电流 - DC 正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线供应商器件封装:8-DIP 认可:cUR，UR 标准包装:50 VO2223 功能描述:Optoisolator Triac, Power Output 5300Vrms 1 Channel 8-DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:管件零件状态:有效输出类型:Triac，功率过零电路:无通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电压 - 断态:600V 静态 dV/dt（最小值）:210V/μs（标准）电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:900mA 电流 - 保持（Ih）:25mA 接通时间:- 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V（最大）电流 - DC 正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线供应商器件封装:8-DIP 认可:cUR，UR 标准包装:2,000 VO0611T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 15kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns，7ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:20mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VO0601T 功能描述:Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 1 Channel 5kV/μs CMTI 8-SOIC 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效通道数:1 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/0 电压 - 隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5kV/μs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极电流 - 输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:100ns，100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns，7ns 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流 - DC 正向（If）:60mA 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VO26115100J0G VO2611-X006 VO2611-X007T VO2611-X016 VO2611-X017T VO2612500000G VO26125000J0G VO2612510000G VO26125100J0G VO2630 VO2630-X006 VO2630-X007T VO2630-X009T VO2631 VO2631500000G VO26315000J0G VO2631510000G VO26315100J0G