VS347518

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VS347518 技术参数

VS-32CTQ030STRRPBF 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 15A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.75mA @ 30V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 VS-32CTQ030PBF 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 15A Through Hole TO-220-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:490mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.75mA @ 30V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 VS-31DQ10TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:C-16，轴向供应商器件封装:C-16 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,200 VS-31DQ10 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:C-16，轴向供应商器件封装:C-16 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 VS-31DQ09TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 90V 3.3A C16 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 电流 - 平均整流（Io）:3.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 90V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:C-16，轴向供应商器件封装:C-16 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,200 VS-36MB160A VS-36MB20A VS-36MB40A VS-36MB60A VS-36MB80A VS-36MT10 VS-36MT100 VS-36MT120 VS-36MT140 VS-36MT160 VS-36MT20 VS-36MT40 VS-36MT5 VS-36MT60 VS-36MT80 VS38925K VS3-A0-A0-A1-A2-00-CE VS3-A1-A1-A1-A2-00-CE