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ZADC-10-4-75

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  • ZADC-10-4-75
    ZADC-10-4-75

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  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人:韩小姐

    电话:13661385246

    地址:北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室,新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 2500

  • 原厂

  • SMD

  • 18+

  • -
  • 公司现货原装库存,13661385246

  • ZADC-10-4-75
    ZADC-10-4-75

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  • 深圳市雄盛鑫电子有限公司
    深圳市雄盛鑫电子有限公司

    联系人:黄莉莉 15986606941

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    地址:公司一部:深圳市福田区华强北赛格广场59楼5904AB

  • 2651

  • Mini-circuits

  • CC51-1

  • 21+

  • -
  • 原厂直销,深港仓储,全线排单

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ZADC-10-4-75 技术参数
  • ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG4001JA16TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZAEIPEXP-01-UNI ZAHI3-01 ZAHI3-01-99 ZAHI3-01-NA ZAHI3-01-UNI ZAIDM-01 ZALM-301-1-B ZALM-301-1C-B ZAMP001H6TA ZAMP001H6TC ZAMP002H6TA ZAMP002H6TC ZAMP003H6TA ZAMP003H6TC ZAP-1G ZAP-1R ZAP-2R ZAP-2W
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