ZADCS0882VIS20T

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说明
操作

ZADCS0882VIS20T
优势
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：陈康
电话：18998911681
地址：深圳市福田区华强北振兴路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
40000
ZMDI
模数转换器 - ADC ADC
2013+
-
进口原装

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功能描述
模数转换器 - ADC ADC
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
通道数量
2
结构
Sigma-Delta
转换速率
125 SPs to 8 KSPs
分辨率
24 bit
输入类型
Differential
信噪比
107 dB
接口类型
SPI
工作电源电压
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VQFN-32

ZADCS0882VIS20T 技术参数

ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG4001JA16TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZAEIPEXP-01-UNI ZAHI3-01 ZAHI3-01-99 ZAHI3-01-NA ZAHI3-01-UNI ZAIDM-01 ZALM-301-1-B ZALM-301-1C-B ZAMP001H6TA ZAMP001H6TC ZAMP002H6TA ZAMP002H6TC ZAMP003H6TA ZAMP003H6TC ZAP-1G ZAP-1R ZAP-2R ZAP-2W