ZXL-669

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ZXL-669 技术参数

ZXGD3105N8TC 功能描述:MOSFET Synch MOSFET Control SO-8 T&R 2.5K RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXGD3104N8TC 功能描述:MOSFET Synch MOSFET Control SO-8 T&R 2.5K RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXGD3103N8TC 功能描述:功率驱动器IC SYNC Mosfet CNTRL Vcc 15V 25mA 490mA RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ZXGD3102T8TA 功能描述:功率驱动器IC BIPOLAR TRANSISTOR GATE DRIVER NPN/PNP SMB GREEN 1K RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ZXGD3101T8TA 功能描述:功率驱动器IC SYNCHRNS RCTFR CTRLR FOR FLYBCK CNVRTRS RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ZXLD1350ET5TA ZXLD1352ET5TA ZXLD1356DACTC ZXLD1356ET5TA ZXLD1356QDACTC ZXLD1360ET5TA ZXLD1360QET5TA ZXLD1362ET5TA ZXLD1362QET5TA ZXLD1366DACTC ZXLD1366EN8TC ZXLD1366ET5TA ZXLD1366QDACTC ZXLD1366QEN8TC ZXLD1366QET5TA ZXLD1370/1EV4 ZXLD1370EST16TC ZXLD1371EST16TC