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ZXMN20866DE6

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  • ZXMN20866DE6TA
    ZXMN20866DE6TA

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • ZETEX/DIODES

  • SOT23-6

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • ZXMN20866DE6
    ZXMN20866DE6

    ZXMN20866DE6

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 5000

  • diodes

  • 08 pb

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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ZXMN20866DE6 技术参数
  • ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 2.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 2.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道(H 桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 1.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 标准包装:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A,800mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 基本零件编号:ZXMHC10A07T8 标准包装:1 ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA ZXMN2B01FTA ZXMN2B03E6TA ZXMN2B14FHTA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TC ZXMN3A01FTA
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