ZXT13P12DE6TAPBF

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ZXT13P12DE6TAPBF 技术参数

ZXT13N20DE6TA 功能描述:TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:230mV @ 45mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:96MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:3,000 ZXT13N15DE6TA 功能描述:TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:72MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:3,000 ZXT12N20DXTA 功能描述:TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:2 NPN（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，3.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.04W 频率 - 跃迁:112MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 ZXT11N15DFTA 功能描述:TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 150mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:145MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 基本零件编号:ZXT11N15D 标准包装:1 ZXT10N50DE6TA 功能描述:TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:165MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 基本零件编号:ZXT10N50D 标准包装:1 ZXT24-RM ZXT2M322TA ZXT3M322TA ZXT4M322TA ZXT690BKTC ZXT790AKTC ZXT849KTC ZXT951KQTC ZXT951KTC ZXT953KTC ZXT9-ANT ZXT9-IO-222R2 ZXT9-MB1A-KIT ZXT9-MB2A-KIT ZXT9-RM ZXTAM322TA ZXTBM322TA ZXTC2045E6QTA