型号: | SMBG100 |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | SMBG100 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ110A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ60A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ170 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBG100A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG100/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG100/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG100/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG100/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG100/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |