型号: | SMCG30CA/9A |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
封装: | PLASTIC, SMCG, 2 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 69K |
代理商: | SMCG30CA/9A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCG14CA/57T | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG17/57T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG45C/57T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG54CA/57T | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG7.0CA/57T | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCG30CA-E3/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 30V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG30CA-E3/51T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG30CA-E3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG30CA-E3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG30CA-E3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |