型号: | SMCJ33AE3/TR13 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 475K |
代理商: | SMCJ33AE3/TR13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ7.5CE3/TR13 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ90AE3/TR13 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ130CAE3/TR13 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ7.0CAE3/TR13 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ14E3/TR13 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ33AHE3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ33A-HE3/57T | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
SMCJ33AHE3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ33AHE3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ33AHE3/9CT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |