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参数资料
| 型号： | SN74V3650-6PEU |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 19/50页 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | SN74V3650-6PEU |
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SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
19
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
synchronous vs asynchronous programmable flag timing selection
The SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, and SN74V3690 can be configured
during the master reset cycle, with either synchronous or asynchronous timing for PAF and PAE, by use of the
PFM pin.
If synchronous PAF/PAE configuration is selected (PFM high during MRS), PAF is asserted and updated on the
rising edge of WCLK only and not RCLK. Similarly, PAE is asserted and updated on the rising edge of RCLK
only, and not WCLK (see Figure 17 for synchronous PAF timing and Figure 18 for synchronous PAE timing).
If asynchronous PAF/PAE configuration is selected (PFM low during MRS), PAF is asserted low on the
low-to-high transition of WCLK, and PAF is reset to high on the low-to-high transition of RCLK. Similarly, PAE
is asserted low on the low-to-high transition of RCLK. PAE is reset to high on the low-to-high transition of WCLK.
See Figure 19 for asynchronous PAF timing and Figure 20 for asynchronous PAE timing.
Table 3. Status Flags for Standard Mode
SN74V3640
0
SN74V3650
0
SN74V3660
0
SN74V3670
0
FF
H
PAF
H
HF
H
PAE
L
EF
L
Number of
Words in
FIFO (see
Note 8)
1 to n
1 to n
1 to n
1 to n
H
H
H
L
H
(n + 1) to 512
(n + 1) to 1024
(n + 1) to 2048
(n + 1) to 4096
H
H
H
H
H
513 to
[1024
–
(m + 1)]
1025 to
[2048
–
(m + 1)]
2049 to
[4096
–
(m + 1)]
4097 to
[8192
–
(m + 1)]
H
H
L
H
H
(1024
–
m) to 1023
1024
(2048
–
m) to 2047
2048
(4096
–
m) to 4095
4096
(8192
–
m) to 8191
8192
H
L
L
L
L
L
H
H
H
H
SN74V3680
SN74V3690
FF
PAF
HF
PAE
EF
0
0
H
H
H
L
L
Number of
d i
Words in
FIFO (see
Note 8)
1 to n
1 to n
H
H
H
L
H
(n + 1) to 8192
(n + 1) to 16384
H
H
H
H
H
8193 to [16384
–
(m + 1)]
16385 to [32768
–
(m + 1)]
H
H
L
H
H
(16384
–
m) to 16383
16384
(32768
–
m) to 32767
32768
H
L
L
L
L
L
H
H
H
H
NOTE 8: See Table 2 for values for n, m.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V3660-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V3650-7PEU | 功能描述:先进先出 2048 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-10PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-15PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-6PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-7PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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