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参数资料
| 型号： | SN74V3650-6PEU |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 26/50页 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | SN74V3650-6PEU |
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SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
26
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
BYTE ORDER ON INPUT PORT:
D35-D27
D26-D18
D17-D9
D8-D0
X
X
A
B
1st: Write to FIFO
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
X
X
C
D
2nd: Write to FIFO
BYTE ORDER ON OUTPUT PORT:
BE
BM
IW
L
H
H
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
OW
L
A
B
C
D
Read from FIFO
(a)
×
18 INPUT TO
×
36 OUTPUT
–
BIG ENDIAN
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
BE
H
BM
H
IW
H
OW
L
C
D
A
B
Read from FIFO
(b)
×
18 INPUT TO
×
36 OUTPUT
–
LITTLE ENDIAN
BYTE ORDER ON INPUT PORT:
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
X
X
X
A
1st: Write to FIFO
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
X
X
X
B
2nd: Write to FIFO
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
X
X
X
C
3rd: Write to FIFO
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
X
X
X
D
4th: Write to FIFO
BYTE ORDER ON OUTPUT PORT:
BE
BM
IW
L
H
H
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
OW
H
A
B
C
D
Read from FIFO
(a)
×
9 INPUT TO
×
36 OUTPUT
–
BIG ENDIAN
Q35-Q27
Q26-Q18
Q17-Q9
Q8-Q0
BE
H
BM
H
IW
H
OW
H
D
C
B
A
Read from FIFO
(b)
×
9 INPUT TO
×
36 OUTPUT
–
LITTLE ENDIAN
Figure 1. Bus-Matching Byte Arrangement (Continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V3660-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3660-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3670-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3670-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3690-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V3650-7PEU | 功能描述:先进先出 2048 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-10PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-15PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-6PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-7PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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