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参数资料
| 型号： | SN74V3650-6PEU |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 39/50页 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | SN74V3650-6PEU |
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SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
39
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
tsk2
(see Note C)
D
–
(m + 1) Words in FIFO
(see Note B)
D
–
(m + 1)
Words in
FIFO (see
Note B)
WCLK
WEN
PAF
RCLK
REN
1
2
1
2
tCLKL
tENS
tENH
tPAFS
tPAES
tENS
tENH
D
–
m Words in FIFO
(see Note B)
tCLKH
NOTES: A. m = PAF offset
B. D = maximum FIFO depth
In FWFT mode: D = 1025 for the SN74V3640, D = 2049 for the SN74V3650, D = 4097 for the SN74V3660, and D = 8193 for the
SN74V3670, D = 16385 for the SN74V3680, and D = 32769 for the SN74V3690.
In standard mode: D = 1024 for the SN74V3640, D = 2048 for the SN74V3650, D = 4096 for the SN74V3660, D = 8192 for the
SN74V3670, D = 16384 for the SN74V3680, D = 32768 for the SN74V3690.
C. tsk2 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to ensure that PAF goes high (after one
WCLK cycle + tPAFS). If the time between the rising edge of RCLK and the rising edge of WCLK is less than tsk2, PAF deassertion
time may be delayed one additional WCLK cycle.
D. PAF is asserted and updated on the rising edge of WCLK only.
E. Select this mode by setting PFM high during master reset.
Figure 15. Synchronous Programmable Almost-Full Flag Timing (Standard and FWFT Modes)
P
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V3660-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3660-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3670-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3670-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3690-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V3650-7PEU | 功能描述:先进先出 2048 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-10PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-15PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-6PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-7PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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