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参数资料
| 型号： | STH16010A |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:40pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:130V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 500V五（巴西）总裁|第15A一（c）|至218AC |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | STH16010A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STH160N4LF6-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小） 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:181nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 |
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