STH16032 PDF资料下载(1/1 页)TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C)

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STH16034	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 850V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-218AA
STI340	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| TO-126
STI341	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:60pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA
STI3439	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole
STI344	Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:420V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Through Hole

相关代理商/技术参数	参数描述
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STH165N10F4-2	制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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参数描述

制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-218AA

功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:181nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8130pF @ 20V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1

STH165N10F4-2

制造商:STMicroelectronics 功能描述:

STH16NA40

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS

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型号：	STH16032
英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 850V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-218AA
中文描述：	晶体管\|晶体管\|叩\| 850V五（巴西）总裁\| 3A条一（c）\|至218AA
文件页数：	1/1页
文件大小：	178K
代理商：	STH16032

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