参数资料
型号: STI4007
英文描述: DIODE TVS 18V 600W UNI-DIR
中文描述: 晶体管|晶体管|叩| 400V五(巴西)总裁| 1A条一(c)|至66
文件页数: 1/1页
文件大小: 162K
代理商: STI4007
相关PDF资料
PDF描述
STI6006 DIODE TVS 600W 510V UNI 5% SMB
STI6007 DIODE TVS 600W 510V BIDIR 5% SMB
STI7006 DIODE TVS 600W 540V BIDIR 5% SMB
STI7007 DIODE TVS 600W 550V UNI 5% SMB
STI8006 TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66
相关代理商/技术参数
参数描述
STI400N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):377nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK(TO-262) 标准包装:50
STI401 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
STI4010 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
STI402 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
STI4025 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-3