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参数资料
| 型号： | STTH1003SG-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | STTH1003SG-TR |
Characteristics
STTH1003S
2/9
Doc ID 11604 Rev 2
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.86 x IF(AV) + 0.024 IF
2
(RMS))
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
300
V
IF(RMS)
Forward rms current
20
A
IF(AV)
Average forward current
Tc = 150 °C δ = 0.5
10
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms sinusoidal
100
A
IRSM
Non repetitive avalanche current
tp = 20 s square
4
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Package
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
DPAK, D2PAK
4
°C/W
TO-220FPAB
6
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
--
10
A
Tj = 125 °C
-
10
100
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 10 A
-
1.30
V
Tj = 125 °C
-
0.9
1.1
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| STTH12012TV1 | 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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