MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点:
● -20V/-2.8A
● RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
● RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
● 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
● 超小封装：SOT23
应用:
● 电源管理
● 负载开关
● 电池保护
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ME6206,ME6219.ME6211,ME2100,ME2309,MEM2318,MEM2307.XK3599,XK3582,XK3582D,XK3884D,TC3588,TC3582B,CT3582C,TC3582B.CT3582B,
1N60，2N60，4N60，5N60，7N60，8N60，10N60，12N60，50N06，70N06，等
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