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大电流外置MOS升压IC
大电流外置MOS升压IC -供应3V升5V 2A大电流升压芯片 GS3660 3V升5V升12V 12V升19V 大电流外置MOS升压IC 3660 型号:GS3660 厂家:GSM 封装:tssop8-买卖IC网
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以下是大电流外置MOS升压IC ,供应3V升5V 2A大电流升压芯片 GS3660 3V升5V升12V 12V升19V 大电流外置MOS升压IC 3660,型号:GS3660 厂家:GSM 封装:tssop8
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型号
GS3660
厂家
GSM
封装
tssop8
供应3V升5V 2A大电流升压芯片 GS3660 3V升5V升12V 12V升19V 大电流外置MOS升压IC 3660
大电流外置MOS升压IC ,供应3V升5V 2A大电流升压芯片 GS3660 3V升5V升12V 12V升19V 大电流外置MOS升压IC 3660
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所 在 地: 广东 深圳市 宝安区
发布日期: 2011年08月29日
深圳中广芯源科技有限公司
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联系人:张钟 (先生)
电话:15014043536
传真:-
邮件:mk006@zgsemi.com
地址:宝安西乡镇西乡大道乐群大厦418-419
大电流外置MOS升压IC 的详细信息
在许多应用场合,都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。
如
太阳能电池
供电电路,常需要将其2.2~5.0V的低电压升至可供使用的12V,
甚至更高的电压。再如3.7V
锂电池
升压到5V给便携设备供应较大电流,
必须将这么低的电压升至可供使用的5V、12V或24V等标准电压,
而一般小轿车轿车为12V蓄(电池亏电和充满电电压范围在10.5V~14.5V)之间,
这样低的电压无法使19V供电笔记本正常工作。而且要求DC/DC变换器的输出功率在几十W以上。因而有必要开发出一种低电压、大电流DC/DC升压变换器。
中广芯源开发了一款利用高效
开关
器件MOSFET及高性能IC控制器。
GS3660应用的典型电路,芯片的输入范围为2.2~15V,该控制器采用独特的控制方案,PWM(脉冲宽度调制)的优越性,提供一个高效、较宽电压调节范围的
电源
。具有较小的静态电流,在重载情况下具有较高的效率,噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波,这样便于降低电路成本及电路的尺寸。该电路PWM输出直接驱动N沟道
场效应管
驱动升压实现大电流输出,宽电压供电2.2V-15V,宽工作频率50KHZ-1MHZ振荡频率,具有欠压保护功能、软启动及短路保护功能,使电路工作更稳定!
同时,该芯片可用于升降压稳压方案:⑴ 9~28V输入、输出稳定在12V 3A电流,转换效率85%。⑵ 3~6V输入、输出稳定在5V.
典型应用:3 V升5V 2.5A;3.7V升12V 1.5A;12V升19V 4A
中广芯源 联系人:张生
TEL:0755-29463758 / 29469758 Mobile:15014043136
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