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SMDP-67204HV-15SR
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SMDP-67204HV-15SR ,SMDP-67204HV-15SR

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  • 发布日期: 2013年06月26日
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型号SMDP-67204HV-15SR厂家ATMEL
批号12+封装FPGA
201364西雅图(2013国际微波研讨会) – 射频(RF)功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管,所有产品均超越了严格的地面移动市场要求,具有超强耐用性。

 

全新Airfast LDMOS功率晶体管提供了稳定性、增益和耐用性的完美结合。 新型Airfast GaN器件主要面向多频带应用,减少了对大型、复杂甚至是多个无线基站需求。 综上所述,这些解决方案为地面移动应用提供了高级设计选择组合。

 

飞思卡尔新型AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N LDMOS功率放大器的设计意图是在极端恶劣的运行条件下完美运行,为地面移动无线射频应用提供卓越的性能、稳定性和增益。这些器件是公共安全、专业移动无线基站和其他恶劣的M2M通信环境使用的移动VHF、UHF和700-900 MHz收发器的理想选择。

 

即使同时让电压及驱动都超载来压迫放大器及RF功率晶体管,这三款新型Airfast RF LDMOS功率产品仍能够承受> 65:1的VSWR。他们整合了许多维持稳定性所需的电路,因此能够简化设计,并且在各种操作条件下都能维持稳定。飞思卡尔面向地面移动市场的最新LDMOS Airfast RF功率产品附带全面、广泛的参考设计,仅需少量电感器电容器便可完成设计,与基于模块的解决方案相比,在类似的体积内提供了更高效率和线性。另外,Airfast RF功率器件的效益通常可达65%或更高,显著高于模块化和竞争性的分立器件。

 

飞思卡尔高级副总裁兼RF业务部总经理Ritu Favre表示:“直到目前,工程师在开发需要大型、复杂且设计昂贵的多频带系统时仍然面临巨大的挑战。我们Airfast RF功率组合的新产品可为地面移动设计师提供卓越的宽带性能,所有特性均封装于超紧凑的空间。”

 

对于无线运营商和公共安全人员,能够与多个机构通信的能力对于在发生紧急情况时采取快速、有序且高效的措施至关重要。飞思卡尔的新型Airfast AFG30S010 GaN器件的宽带性能使单一功率放大器可以支持许多地面移动频带,避免了为多机构通信设计大型、昂贵、复杂的多频带系统的需求。AFG30S010 GaN器件具有高效、先进的热性能,提供的功能可以减小放大器占用的空间,对于在更小的产品空间中满足客户需求非常关键。

 

产品规格

在手持对讲机应用中,新型Airfast LDMOS器件在额定7.5 Vdc电源下运行,在移动无线应用中,新型Airfast LDMOS器件在12.5 Vdc电源下运行,同时集成ESD保护。 Airfast GaN器件在28 Vdc电源下运行。

 

AFT09MS007NAFT09MP055NAFT09MS015N

  • 可承受> 65:1的VSWR,具有同步过压和过载
  • 优化系统可靠性,降低维护成本
  • 高功率增益需要较少的阶段并提高稳定性
  • 更高的效率,简化散热并实现更小的基站。

 

AFG30S010

  • 整个136-941 MHz频带功耗10 W
  • 可承受> 20:1的VSWR,具有同步过压和过载
  • 优化系统可靠性,降低维护成本
  • 避免使用复杂的保护电路,降低了总体系统成本
  • 在宽泛频率范围内实现高效率

 

供货

AFT09MS007N 7 W和AFT09MP055N 55 W器件计划于2013年第2季度投产。AFT09MS015N 15 W和AFG03S010器件的样品计划于2013年第4季度供货。为设计工程师提供参考设计和其他支持工具。如需了解更多信息,请访问www.freescale.com/RFpower,或联系飞思卡尔销售代表或当地经销商。

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