型号：FQD2N60C
品牌：fcs
封装：DPAK
年份：13+
说明：Transistor,MOSFET
产品技术参数
典型关断延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 9 ns
典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds 180 pF V @ 25
安装类型 表面贴装
宽度 6.1mm
封装类型 DPAK
尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm
引脚数目 3
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 2500 mW
最大栅源电压 ±30 V
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 4.7 Ω
最大连续漏极电流 1.9 A
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
类别 功率 MOSFET
通道模式 增强
通道类型 N
配置 单
长度 6.6mm
高度 2.3mm
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