| 型号 | AT68166FT-YS20-E | 厂家 | ATMEL |
| 批号 | 11+ | 封装 | FPGA |
除了提供150 V的耐压值产品，富士通半导体还开发了耐压为600 V 和 30 V的产品，从而有助于在更宽广的产品领域提高电源效率。这些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世纪80年代来牵头开发的HEMT (高电子迁移率晶体管)技术。富士通半导体在GaN领域拥有大量的专利技术和IP，可迅速将GaN功率器件产品推向市场。富士通半导体还计划与客户在各个行业建立合作伙伴关系，以进一步拓展业务。
富士通半导体于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN产品。时间：2013年7月17-19日，地点：日本东京国际博览中心。公司会提供性能有进一步提高的具有2.5KW输出功率的电源原形产品和测试数据， 该产品的高频PFC模块和高频DC-DC转换器采用了600V耐压的GaN功率器件。
主要规格
MB51T008A
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