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这22 款符合AEC-Q101标准的40V N沟道MOSFET的特色，是采用了IR经过验证的Gen12.7沟道技术。这一技术为D2Pak-7P、D2Pak、DPak、TO-262、IPAK 以及 TO-220封装提供超低导通电阻。采用基准封装D2Pak-7P的AUIRFS8409-7P在电压为10 Vgs、额定电流高达240A时能提供低至0.75 mΩ的导通电阻。新器件的导通损耗低，雪崩性能强大，能够带来更高的效率、功率密度和可靠性。由于这种全新的COOLiRFET 器件具备卓越性能，所以与最尖端的MOSFET系列相比，能够让许多应用大幅降低运行温度。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR新推出的40V汽车级 COOLiRFET MOSFET系列在所有的封装类型中都能实现基准导通电阻，从而为大电流汽车应用提供高效率的解决方案，可以满足这些应用对高性能和降低整体系统成本的需求。”

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过 1,000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。IR的新器件符合AEC-Q101标准，物料清单环保、不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。