| 品牌 | Triquint | 型号 | TGF2023-2-01 |
| 工作频率范围 | DC至18 | 功率增益 | 18 |
主要特点
频率范围：DC至18 GHz
38 dBm的额定的Psat在3 GHz的
71.6％的最大PAE
18分贝额定功率增益为3 GHz的
偏见：VD = 12 -32 V，的Idq =125毫安
工艺：0.25微米大功率GaN对SIC
芯片尺寸：0.82 x 0.66 x0.10毫米
描述
TriQuint公司TGF2023-2-01是上SiCHEMT离散1.25毫米氮化镓经营从DC到18 GHz。 该器件采用TriQuint的成熟的0.25微米的GaN生产过程。 这个过程具有先进的场板技术，在高漏极偏置操作条件优化微波功率和效率。
该设备通常提供38 dBm的饱和输出功率为18 dB的功率增益为3千兆赫。 的最大功率附加效率为66％，这使得TGF2023-2-01适合于高效率的应用。 该器件是无铅和RoHS标准。
品规格
频率 （GHz） DC至18
线性增益 （dB） 18
在P1dB（DBM）
的Psat（DBM） 38
NF（分贝）
PAE（％） 71.6
电压 （V） 12?32
电流（mA） 25至125
封装形式 死
符合RoHS 是的
无铅 是的
无卤 是的
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陈凯鹏 先生 （项目销售工程师）
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