| 型号 | BF1009SE6327 | 厂家 | Infineon |
| 批号 | 1132 | 封装 | 1132 |
制造商: Infineon
产品种类: 射频MOSFET晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single Dual Gate
晶体管极性: N-Channel
增益: 1 GHz
输出功率: 200 mW
汲极/源极击穿电压: 12 V
漏极连续电流: 0.025 A
闸/源击穿电压: 8 V, 10 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 26 mS
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 200 mW
产品类型: RF MOSFET Small Signal
系列: BF1009
工厂包装数量: 3000
类型: N Channel MOSFET
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