数据列表IRFZ34NPbF
产品相片TO-220AB PKG
产品培训模块High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源IRFZ34NPBF Saber Model
IRFZ34NPBF Spice Model
PCN 组件/产地TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
标准包装  50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET?包装  管件  FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)55V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）29A （Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）40 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)34nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)700pF @ 25V功率 - 最大值68W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称*IRFZ34NPBF