订货热线：0755-82815151 13570887836朱先生
| 数据列表 | |
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| 系列 | - |
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包装  | 管件 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
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| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
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| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） | 30A（Ta） |
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| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 68 毫欧 @ 15A，10V |
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| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 132nC @ 10V |
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| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5400pF @ 10V |
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| 功率 - 最大值 | 150W |
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| 安装类型 | 通孔 |
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| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
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| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
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