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STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 8.5A TO220FP
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，STMICROELECTRONICS - STF12N65M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 8.5A TO220FP

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  • 所 在 地： 北京 北京市辖区 朝阳区
  • 发布日期： 2015年01月14日
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品牌STMICROELECTRONICS型号STF12N65M5
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  • 中国.广东省深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦1907
  • 产品信息
    •  场效应管 MOSFET N沟道 650V 8.5A TO220FP
    •  晶体管极性: N沟道
    •  电流, Id 连续: 8.5A
    •  漏源电压, Vds: 650V
    •  在电阻RDS（上）: 0.39ohm
    •  电压 @ Rds测量: 10V
    •  阈值电压 Vgs: 4V
    •  功耗 Pd: 25W
    •  晶体管封装类型: TO-220FP
    •  针脚数: 3
    •  工作温度最高值: 150°C
    •  MSL: -
    •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Jun-2014)
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