制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 11.7 A
Rds On-漏源导通
电阻: 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 7.2 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 /
箱体: SOIC-8
封装: Reel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 19 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 9 ns
系列: CSD88539ND
工厂包装数量: 2500
商标名: NexFET
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