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制造商：AOS标准包装数：800

封装：TO-263包装：Tape&Reel

类别：FET - 单路无铅情况/RoHS： 符合

产品描述：MOSFETS

参数数值

系列-

FET 类型N

FET 功能-

漏源极电压 (Vdss)100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）105A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）4.9mΩ @4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）3.4V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)90nC

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6775pF

功率 - 最大值300W

装配类型Surface Mount

封装/外壳-

供应商器件封装TO-263

结构Single

通用General Purpose

ESD二极管No

肖特基二极管No

肖特基类型-

栅极电压 (±V)20

电流 - 连续漏极 (Id)(A)@70° C82

功率 (W)@70°C150

导通电阻(mΩ max) at栅极电压=10V4.1

导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=4.5V4.9*

导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=2.5V-

导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.8V-

导通电阻 (mΩ max) at栅极电压=1.5V-

导通电阻(mΩ max) at栅极电压=1.2V-

栅短路共源反向传输电容(pF)32

米勒电荷(nC)13.5*

开通延迟时间(ns)20

关断延迟时间(ns)48

  
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