AO4813参数

其它图纸： AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side
标准包装： 1
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 剪切带 (CT)
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 7.1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 25 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 1888pF @ 15V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC
产品目录页面： 1668 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： 785-1058-1

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