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PUMD10 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 香港欧信源科技有限公司
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  • 所 在 地: 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期: 2015年07月18日
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型号PUMD10厂家NXP
封装SOT363  
数据列表
系列-
包装 ? 带卷(TR) ? 
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆)2.2k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)100mV @ 250μA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率 - 跃迁230MHz
功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP
其它名称568-10322-2
934055239115
PUMD10 T/R
PUMD10 T/R-ND
PUMD10,115-ND
香港欧信源科技有限公司
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