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SUM110P06-08L-E3 分立半导体产品 > FET - 单 香港欧信源科技有限公司
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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2015年08月29日
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型号SUM110P06-08L-E3厂家VISHAY
封装TO-263  
数据列表
包装 ? 带卷（TR） ? 
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）240nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）9200pF @ 25V
功率 - 最大值3.75W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装TO-263（D2Pak）
其它名称SUM110P06-08L-E3TR
SUM110P0608LE3
香港欧信源科技有限公司
电话：0755-83018031   13026695325  欧小姐 
 传真：0755-82810504    
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